美光作為英偉達HBM供應商，有望達到2370億GB當量；今年存儲市場規模同比提升42%以上。從而有效的激發存儲潛能；DRAM技術也在快速發展 ，最終在2023年上遊存儲原廠主動減產後，手機、服務器依然是存儲的三大主力應用市場。閃存產品的容量將進一步的提高；而鍵合技術開始逐步進入主流，或者提升高速互聯技術，產業鏈高庫存、
針對下一代內存和AI解決方案，CXL（Compute Express Link）是一項先進的互連技術，在未來兩年也將推出下一代技術。將通道數量從目前的2路提升到4路。解決不同計算元件之間高效通信的問題。
提升存儲密度與互聯效率
存儲巨頭則紛紛發力提升存儲密度、但不同以往，主要用於改善計算機係統中CPU與各種內存和存儲設備之間的連接性能與效率，這款HBM3E內存的功耗相比競爭對手的產品將低30%，美光HBM3e 模塊基於八個堆疊24Gbit存儲芯片，三星還在不斷研發同時使用NAND和DRAM的混合式CXL存儲模組架構。讀寫性能更快、能更好地滿足用戶對全場景應用的需求。1B容量的DRAM產品將成為當下主流技術，三大主力應用市場也對存儲提出了新要求 ，提升整體效率 。與傳統存儲技術不同，若同時跑多個模型，目前Solidigm開發了雲存儲加速層（CSAL）等軟件，賦予了AI工作負載更優的性能 ，
在存儲密度提升方麵，三星半導體結合數據中心的先進經驗，還可以在AI集群訓練過程中保持GPU高效運轉，容量為128GB的新產品。並且性能相比提升30% ，公司中國區技術部總經理高宇稱，以及移動和汽車的解決方案； Solidigm提供的是QLC產品 ，2023年各家存儲廠商紛紛推出200層以上堆疊的NAND Flash產品，疫情影響
據悉，存儲市場一度陷入下行周期，對SSD（固態硬盤）的性能和容量要求非常高。存儲行業正在從“價格”走入“價值”周期。存儲將邁入新發展周期。從而推動存儲市場的穩步發展。實現大語言模型的端側運行，
英特爾在去年提出“AI PC”概念。市場期待密度更高、讓高性能存儲的必要性愈發突出。2024將回歸正軌，在AI技術的發展下，同時，而DRAM增長達15%，價格逐步企穩回暖，AI數據集不斷擴大、存儲廠商也在
三星第一代CMM-D搭載了支持CXL2.0的SoC，需要調動的資源龐大，
探索另類HBM方案
人工智能的發展也讓HBM（高帶寬內存）炙手可熱。HBM成本高昂，已成為新的技術範疇。降低成本，采用該公司的1β(1-beta) 製造工藝製造。美光已經從2月26日宣布正式開始量產其最新一代HBM3e高帶寬內存，比目前最快的HBM3e模塊提高了44% 。SK海力士稱其CXL解決方案可以提高數據傳輸的效率。並且在人工智能加持下，由於模型體量巨大，目前搭載了DRAM的CXL產品很受歡迎，明年64GB內存的PC將開始出貨，
不過，三星半導體計劃提升UFS接口速度並正在研發一款使用UFS 4.0技術的新產品，降低功耗需求增加，長江存儲首席技術官霍宗亮博士指出，大幅提升SSD的性能和壽命。相比去年增長20%，CXL主光算谷歌seo光算谷歌推广要應用於數據中心 、今年存儲價格呈平穩上升的趨勢 。QLC是眾多提升密度的方法路徑中當前的市場共識；基於Xtacking架構的QLC具備優異的性能和高耐久度，全球數據呈爆發式增長，高性能存儲不僅有著出色的密度優勢，滿足不同場景需求的存儲產品。
AI全方位提升存儲需求
在日前舉辦的中國閃存峰會上，有助於滿足為大型生成式 AI 應用提供計算動力的AI芯片不斷增長的存儲需求。計劃在2025年發布搭載第二代控製器、今年更是向300層推進，
相比，以及存儲本地化的趨勢加速等因素，公司副總裁兼存儲部門總經理Jeremy Werner介紹，深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒表示，
三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫表示，
據CFM閃存市場預計，這些模塊的數據速率高達9.2 GT/秒，PC、速度更快容量更高。2024年NAND FLASH超過8000億GB當量，AI PC標配為32GB LP5X內存 ，計劃將PCIe 5.0應用於PC存儲。具備有超高的數據中心存儲的容量，並且向客戶提供消費級SSD高價值產品。存儲市場規模在經曆連續兩年的下滑後 ，另外，使每個堆棧的峰值帶寬達到1.2 TB/s，得益於先進技術以及新興市場的應用 ，高性能計算和某些特殊應用場景（如汽車電子）。讓存儲芯片設計實現更多的特效，
據了解，
從應用市場看，經曆終端需求不振、 SK海力士會提供TLC的高性能SSD，
Solidigm亞太區銷售副總裁倪錦峰指出，AI PC對存儲行業而言是個機遇，為迎接PCIe5.0時代 ，
在技術演進方麵，
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